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国家存储器基地再迎突破 中国首款64层三维闪存芯片武汉量产

信息来源:shancun.biz  时间:2019-09-25  浏览次数:16

  9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存芯片,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

  据悉,这是我国自主研发生产的首款64层3D NAND闪存芯片,也是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。

  3D NAND即三维闪存技术。过去,人们用到的存储芯片是平面的,相当于地面停车场,而三维闪存芯片是立体的,就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下,立体芯片能够容纳更多倍数据量。

  2018年底,长江存储第一代32层三维闪存产品量产。32层芯片在微观世界里就像是一栋32层的楼房,如果换算成一栋楼里的“房间”,足足有640亿个“房间”之多。如今64层芯片“大楼”,可以容纳的“数据房间”或将以几何级数增长。

  Xtacking架构是长江存储自主研发的一种突破性3D闪存架构。它看上去就像一个由无数根罗马柱支撑起的宫殿,能够在两片独立的晶圆(指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片)上,分别加工外围电路和存储单元。当两片晶圆各自完工后,Xtacking技术只需一个处理步骤,就可通过数十亿根垂直互联通道,将两片晶圆键合。

  长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示,相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking可带来更快的传输速度、更高的存储密度。该架构引入批量生产后,能显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。

  多年来,三星、镁光、SK海力士和东芝等几家国际大厂,几乎垄断了全球的NAND Flash存储芯片市场供应,其中三星多年位居龙头,而中国在该产业领域几近空白。“此次量产,标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。”他说,随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产,将为全球存储器市场健康发展注入新动力(310328)。

  长江存储器基地于2016年12月启动建设,标志着中国集成电路存储芯片产业,在规模化发展上实现了“零”的突破。

  短短两年间,存储器基地一号芯片生产厂房封顶、国内首颗自主研发32层三维闪存芯片研发问世、芯片生产机台安装调试、首台光刻机进厂调试,一座芯片之城磅礴崛起。

  围绕“一芯驱动”布局,未来几年,光谷将以科技创新大走廊为创新横轴,豹子溪生态廊道为生态纵轴,打造世界级“黄金十字轴”。这条大走廊,还将串起3条新千亿大道,并覆盖集成电路与新型显示、光电子信息、生物医药等一系列战略性新兴产业集聚带。

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